MPCVD氫氣發生器通過微波等離子體化學氣相沉積技術生成高純度氫氣，廣泛應用于半導體制造、薄膜沉積等領域。氫氣的純度直接影響到沉積薄膜的質量和性能。因此，研究和應用氫氣純化技術具有重要意義。
 

　　1.氫氣純化技術的原理
 

　　氫氣純化技術主要是通過物理和化學方法，去除氫氣中的雜質，提高氫氣的純度。其基本原理包括吸附、催化、膜分離等多種技術手段。
 

　　1.1吸附技術
 

　　吸附技術是利用吸附劑對雜質氣體的吸附作用，去除氫氣中的雜質。常用的吸附劑包括活性炭、分子篩等。吸附技術具有設備簡單、操作方便的優點，但吸附劑的再生和更換較為頻繁。
 

　　1.2催化技術
 

　　催化技術是利用催化劑對雜質氣體的催化作用，將雜質轉化為易于去除的物質。例如，使用鉑、鈀等貴金屬催化劑，可以將氫氣中的微量氧氣轉化為水，從而提高氫氣的純度。
 

　　1.3膜分離技術
 

　　膜分離技術是利用膜材料對不同氣體的滲透速率差異，實現氫氣的純化。膜分離技術具有能耗低、效率高的優點，但對膜材料的要求較高。
 

　　2.氫氣純化方法
 

　　在MPCVD氫氣發生器中，常用的氫氣純化方法包括以下幾種：
 

　　2.1高溫催化純化
 

　　高溫催化純化是利用催化劑在高溫條件下對雜質氣體的催化作用，將雜質轉化為易于去除的物質。例如，使用鉑、鈀等貴金屬催化劑，在高溫條件下將氫氣中的微量氧氣轉化為水，從而提高氫氣的純度。
 

　　2.2低溫吸附純化
 

　　低溫吸附純化是利用吸附劑在低溫條件下對雜質氣體的吸附作用，去除氫氣中的雜質。例如，使用活性炭、分子篩等吸附劑，在低溫條件下吸附氫氣中的水分和有機雜質，從而提高氫氣的純度。
 

　　2.3膜分離純化
 

　　膜分離純化是利用膜材料對不同氣體的滲透速率差異，實現氫氣的純化。例如，使用聚酰亞胺膜或多孔陶瓷膜，通過膜分離技術去除氫氣中的雜質，從而提高氫氣的純度。
 

　　3.注意事項
 

　　在進行MPCVD氫氣發生器的氫氣純化時，需要注意以下幾點：
 

　　a.選擇合適的純化方法：根據氫氣的雜質成分和純度要求，選擇合適的氫氣純化方法。
 

　　b.定期更換和再生吸附劑：吸附技術中，吸附劑的再生和更換較為頻繁，需定期進行維護。
 

　　c.保證催化劑的活性：催化技術中，催化劑的活性對純化效果有重要影響，需定期檢查和更換催化劑。
 

　　d.保證膜材料的完好性：膜分離技術中，膜材料的完好性對純化效果有重要影響，需定期檢查和更換膜材料。
 

　　MPCVD氫氣發生器的氫氣純化技術對于提高氫氣的純度和保證沉積薄膜的質量具有重要意義。通過合理的純化方法和注意事項，可以有效提高氫氣的純度，從而保證MPCVD過程的順利進行。